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HBF崛起：后HBM时代，存储行业迎来新爆点

在AI浪潮的推动下，存储行业正处于一场深刻的变革前夜。当我们还在热议HBM（高带宽内存）如何为AI训练提供极致速度时，一种名为HBF（高带宽闪存）的全新技术已经崭露头角，有望在不久的将来重塑AI存储格局。

打开AI绘图软件生成一张图要等半分钟，用大模型写篇短文频繁加载，很多人第一反应是“GPU不行了”。但很少有人知道，AI卡顿的真正元凶，可能是被忽视的“存储瓶颈”——就像给超跑配了条乡间小路，再强的算力也跑不起来。2025年，高带宽闪存（HBF）技术的全面爆发，

你有没有发现，最近AI圈的风向有点变了？以前大家拼的是GPU算力，谁家芯片快谁就赢，可现在风头好像慢慢被内存抢走了。KAIST的金正浩教授一开口就炸了锅，说AI时代的真正“权力”正从GPU悄悄转移到内存手上。这可不是随便说说，人家可是被誉为“HBM之父”的技术

在AI算力爆发、移动终端性能升级、数据中心存储需求激增的多重驱动下，全球存储产业正迎来技术迭代的密集期。内存作为数据处理与传输的核心枢纽，其性能直接决定了终端设备、服务器及AI加速器的运行效率。

前几天参加一个科技行业分享会，做AI大模型的朋友吐槽得特别实在。他说现在算力卡脖子的问题刚缓解，存储又成了新麻烦。训练一个千亿参数的多模态模型，每天产生的数据量能塞满几百个普通硬盘，老设备传数据的速度比蜗牛还慢，模型训练周期硬生生拖长了一倍多。散场后翻行业报告

【抢占 AI 存储市场下一风口，消息称三星电子已启动 HBF 高带宽闪存开发】对于大规模 AI 推理部署而言，传统的固态硬盘形态一般 NAND 存储难以满足高速输出的需求，而三星电子持有性能更为出色的 Z-NAND 技术。

韩媒 fnnews 当地时间 1 日表示，三星电子已着手开展 HBF 高带宽闪存产品的概念设计等前期开发工作，计划针对 AI 数据中心对于高速存储介质的需求开发新产品。由于目前尚属初期，具体产品规格及量产时间尚无法确认。

过去几年，AI 的飞速发展让算力成为全球争夺的核心，但很多人忽视了一个同样至关重要的环节——存储。没有存储的支撑，算力就像没有燃料的引擎，再强大也难以释放全部潜能。尤其是在大模型和生成式 AI 的浪潮下，数据体量和推理场景不断膨胀，存储的需求也随之水涨船高。

虽然三星的 HBM4 还没有通过英伟达的验证，但就在上周五（9 月 19 日），三星的 12 层 HBM3E 终于通过了英伟达的测试认证，也意味着即将成为英伟达 GPU 的 HBM 供应商之一。一石激起千层浪。AI 的火热不只是让人们争相讨论大模型和算力芯片，

虽然三星的 HBM4 还没有通过英伟达的验证，但就在上周五（9 月 19 日），三星的 12 层 HBM3E 终于通过了英伟达的测试认证，也意味着即将成为英伟达 GPU 的 HBM 供应商之一。

虽然三星的 HBM4 还没有通过英伟达的验证，但就在上周五（9 月 19 日），三星的 12 层 HBM3E 终于通过了英伟达的测试认证，也意味着即将成为英伟达 GPU 的 HBM 供应商之一。

被称作“HBM之父”的韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩指出，HBF（高带宽闪存）可能成为人工智能未来的决定性因素。HBF是一种类似HBM的专为AI领域设计的新型存储器架构，区别在于HBF使用NAND闪存代替DRAM。金正浩强调，当前的人工智能瓶颈在于内存

据韩国媒体Thelec报导，韩国科学技术院（KAIST）电机工程系教授 Kim Joung-ho（在韩国媒体中被誉为“HBM 之父”）表示，高带宽闪存（High Bandwidth Flash，HBF）有望成为下一代 AI 时代的重要存储技术，将与高带宽内存（

据韩国媒体Thelec报导，韩国科学技术院（KAIST）电机工程系教授 Kim Joung-ho（在韩国媒体中被誉为“HBM 之父”）表示，高带宽闪存（High Bandwidth Flash，HBF）有望成为下一代 AI 时代的重要存储技术，将与高带宽内存（

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